三菱plc指示灯 Q64RD铂电阻型温度输入模块三菱Q64RD

应用：Q系列用。
适合安全标准：EN954-1类别4，ISO13849-1 PLe。
安全输入点数：1点。
增设台数：增设用安全继电器模块最多3台。
使用专用设定监控工具直观地进行配置Q64RD。
构成设定使用丰富的组件可轻松、快捷地设定硬件构成。
创建逻辑对于安全设备，通过使用自动生成的标签的FB可以方便地创建逻辑Q64RD
逻辑的导入和导出Q64RD。
可以只把对输入输出模块的连接设定和通过功能块创建的应用逻辑作为一个设定文件进行存储，
或者从已保存设定文件进行读取。输入输出点数：4096点。
大小端模式：小端模式。
SD存储卡：可使用。
不带OS的Q24DHCCPU-LS。
C语言控制器是可在长期稳定供给、高可靠性、高性能、灵活的MELSEC上执行C语言程序的革命性开放平台Q64RD。
包括预安装有VxWorks，
这C语言控制器可与MELSEC-Q系列的各种模块、
合作伙伴产品以及开放源代码、
客户端程序资产等组合使用，构建各种系统。
作为可在所有场景下使用，可替代电脑、微机的新平台，
MELSEC C语言控制器更牢固，更简单，更高性能，更灵活，今后也装继续不断发展。
输出点数：8点。
输出电压及电流：DC5~24A/点；8A/公共端铂电阻型温度输入模块。
OFF时漏电流：0.1mA。
应答时间：10ms。
漏型、源型共用型。
18点端子台。
带浪涌吸收器。
所有点独立。
超高速处理，生产时间缩短，更好的性能。
随着应用程序变得更大更复杂，缩短系统运行周期时间是非常必要的。
通过超高的基本运算处理速度1.9ns，可缩短运行周期铂电阻型温度输入模块。
除了可以实现以往与单片机控制相联系的高速控制以外，
还可通过减少总扫描时间，提高系统性能，
防止任何可能出现的性能偏差。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取，
在编程时需要考虑各区域的边界。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡，
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器，
容量最多可达4736K字，从而简化了编程铂电阻型温度输入模块。
因此，即使软元件存储器空间不足，
也可通过安装扩展SRAM卡，方便地扩展文件寄存器区域。
变址寄存器扩展到了32位，从而使编程也可超越了传统的32K字，
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域。
另外，变址修饰的处理速度对结构化数据（阵列）的高效运算起着重要作用，
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序（例如从FOR到NEXT的指令等）中时，可缩短扫描时间。
借助采样跟踪功能缩短启动时间
利用采样跟踪功能，方便分析发生故障时的数据，，
检验程序调试的时间等，可缩短设备故障分析时间和启动时间三菱Q64RD。。
此外，在多CPPU系统中也有助于确定CPU模块之间的数据收发时间三菱plc指示灯。
可用编程工具对收集的数据进行分分析，
并以图表和趋势图的形式方便地显示位软元件和字软元件的数据变化。
并且,可将将采样跟踪结果以GX LogViewer形式的CSV进行保存，
通过记录数据显示、分析工具GX LogViewer进行显示三菱Q64RD。
Q64RD操作手册/说明书/选型样本下载地址: /searchDownload.html?Search=Q64RD&select=5