QD51-R24手册三菱模块 QD51-R24调试和编译编程手册

输入输出点数：1024点。
输入输出数据设备点数：8192点。
程序容量：60k。
基本命令处理速度(LD命令)：0.075μS。
PLC在程序执行阶段：按用户程序指令存放的先后顺序扫描执行每条指令，
经相应的运算和处理后，其结果再写入输出状态寄存器中，
输出状态寄存器中所有的内容随着程序的执行而改变三菱模块 编程手册QD51-R24
输出刷新阶段：当所有指令执行完毕，
输出状态寄存器的通断状态在输出刷新阶段送至输出锁存器中，
并通过一定的方式(继电器、晶体管或晶间管)输出，驱动相应输出设备工作。输入输出点数：4096点。
输入输出元件数：8192点三菱模块 编程手册。
程序容量：26 k步。
处理速度：79ns。
程序存储器容量：144 KB。
内置RS232通信口。
支持安装记忆卡。
仅用于A模式。
提升基本性能。
CPU的内置软元件存储器容量增加到最多60K字。
对增大的控制、质量管理数据也可高速处理。
方便处理大容量数据三菱模块 编程手册。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取，
在编程时需要考虑各区域的边界。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡，
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器，
容量最多可达4736K字，从而简化了编程。
因此，即使软元件存储器空间不足，
也可通过安装扩展SRAM卡，方便地扩展文件寄存器区域QD51-R24编程手册。
变址寄存器扩展到了32位，从而使编程也可超越了传统的32K字，
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域。
另外，变址修饰的处理速度对结构化数据（阵列）的高效运算起着重要作用，
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序（例如从FOR到NEXT的指令等）中时，可缩短扫描时间QD51-R24编程手册。用于16点I/O。0.3至1.5mm2(AWG22至16)。SRAM存储卡。
RAM容量：512KB。电缆长3.0米。
用于连接扩展基板。输入：4通道。
铂电阻(Pt100；JPt100；Ni100)QD51-R24编程手册。
转换速度：40ms/1通道。
18点端台。
通道之间隔离。
铂热电阻（Pt100、JPt100）。
镍热电阻（Ni100）。
脱落检测功能。
转换速度：320ms/8通道。
通道间隔离。
40针连接器。
最适合用于过程控制的隔离模拟量模块。
可通过连接热电偶/热电阻来收集温度数据。
产品可选择多通道（ 8通道）输入型和通道隔离型。
客户可根据预期用途选择最适合的型号。
缩短系统停机复原时间。
只需简单的操作，即可将CPU内的所有数据备份到存储卡中。
通过定期备份，可始终将最新的参数、程序等保存到存储卡。
在万一发生CPU故障时，在更换CPU后，可通过简单的操作，
通过事前备份了数据的存储卡进行系统复原。
因此，无需花费时间管理备份数据，也可缩短系统停机时的复原时间。
自动备份关键数据

将程序和参数文件自动保存到无需使用备份电池的程序存储器（Flash ROM）中中，
以防因忘记更换电池而导致程序和参数丢失三菱模块 编程手册QD51-R24手册。
此外，还可将软元件数据等重要数据备份到标准ROM，
以避免在长假期间等计划性停机时，
这些数据因电池电量耗尽而丢失。
下次打开电源时，备份的数据将自动恢复。