三菱Q612BEMCQ612B认证

输入输出点数：4096点。
输入输出元件数：8192点。
程序容量：30 k步。
处理速度：34ns。
程序存储器容量：144 KB。
内置RS232通信口。
支持安装记忆卡。
仅用于A模式。
提升基本性能。
CPU的内置软元件存储器容量增加到最多60K字。
对增大的控制、质量管理数据也可高速处理Q612B
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取，
在编程时需要考虑各区域的边界。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡，
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器，
容量最多可达4736K字，从而简化了编程。
因此，即使软元件存储器空间不足，
也可通过安装扩展SRAM卡，方便地扩展文件寄存器区域。
变址寄存器扩展到了32位，从而使编程也可超越了传统的32K字，
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域。
另外，变址修饰的处理速度对结构化数据（阵列）的高效运算起着重要作用，
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序（例如从FOR到NEXT的指令等）中时，可缩短扫描时间。可以安装8个模块。
输入输出点数：256点。
输入输出元件数：8192点。
程序容量：10K步。
处理速度：0.12μs。
程序存储器容量：40 KB。
支持USB和RS232。
不能安装记忆卡。
自带底板8个槽位。
超高速处理，生产时间缩短，更好的性能。
随着应用程序变得更大更复杂，缩短系统运行周期时间是非常必要的。
通过超高的基本运算处理速度1.9ns，可缩短运行周期。
除了可以实现以往与单片机控制相联系的高速控制以外，
还可通过减少总扫描时间，提高系统性能，
防止任何可能出现的性能偏差。
高速、高精度数据处理。
实数(浮点)运算的处理速度实现了大幅度提高，
加法指令达到了0.014μs，
因此可支持要求高速、高精度的加工数据等的运算处理。
此外，还新增加了双精度浮点运算指令，
简化了编程，降低了执行复杂算式时的运算误差。输入：4通道。
热电偶(JIS C1602~1995)。
微电压(-100mV~100mV) 。
转换速度：(采样周期x3)/1通道。
18点端子台。
最适合用于过程控制的隔离模拟量模块。
可通过连接热电偶/热电阻来收集温度数据。
产品可选择多通道（ 8通道）输入型和通道隔离型。
客户可根据预期用途选择最适合的型号。
自动备份关键数据
将程序和参数文件自动保存到无需使用备份电池的程序存储器（Flash ROM）中，
以防因忘记更换电池而导致程序和参数丢失。
此外，还可将软元件数据等重要数据备份到标准ROM，
以避免在长假期间等计划性停机时，
这些数据因电池电量耗尽而丢失。
下次打开电源时，备份的数据将自动恢复。
缩缩短系统停机复原时间。
只需简单的操作，即可将CPU内的所有数据备份到存储卡中。
通过定期备份，可始始终将最新的参数、程序等保存到存储卡。
在万一发生CPU故障时，在更换CPU后，可通过简单的操作，
通过事前备份了数据的存储卡进行系统复原。
因此，无需花费时间管理备份数据，也可缩短系统停机时的复原时间。