三菱Q25PHCPU基本面结构化编程手册

输出点数：16点。
输出电压及电流：DC12~24V；0.5A/点；4A/公共端。
OFF时漏电流：0.1mA。
应答时间：1ms。
16点1个公共端。
源型Q25PHCPU基本面。
18点端子台。
带浪涌吸收器。
带保险丝。
超高速处理，生产时间缩短，更好的性能。
随着应用程序变得更大更复杂，缩短系统运行周期时间是非常必要的Q25PHCPU
通过超高的基本运算处理速度1.9ns，可缩短运行周期。
除了可以实现以往与单片机控制相联系的高速控制以外，
还可通过减少总扫描时间，提高系统性能，
防止任何可能出现的性能偏差。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取，
在编程时需要考虑各区域的边界Q25PHCPU基本面。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡，
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器，
容量最多可达4736K字，从而简化了编程。
因此，即使软元件存储器空间不足，
也可通过安装扩展SRAM卡，方便地扩展文件寄存器区域。
变址寄存器扩展到了32位，从而使编程也可超越了传统的32K字，
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域。
另外，变址修饰的处理速度对结构化数据（阵列）的高效运算起着重要作用，
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序（例如从FOR到NEXT的指令等）中时，可缩短扫描时间。
借助采样跟踪功能缩短启动时间
利用采样跟踪功能，方便分析发生故障时的数据，
检验程的数据收发时间Q25PHCPU基本面。
可用编程工具对收集的数据进行分析，
并以图表和趋势图的形式方便地显示位软元件和字软元件的数据变化。
并且,可将采样跟踪结果以GX LogViewer形式的CSV进行保存，
通过记录数据显示、分析工具GX LogViewer进行显示。SRAM存储卡。
RAM容量：256KB。电缆长0.45米。
用于连接扩展基板。2轴，开路集电极输出型。
2轴直线插补。
2轴弧线插补。
控制单位：mm、英寸、度、脉冲。
定位数据数：600个数据/轴。
最大脉冲输出：200Kpps。
40针连接器。
定位模块。
开路集电极输出型。
差分驱动器输出型。
根据用途分为开路集电极输出型和差分驱动器输出型 2 种类型。
差分驱动器输出型定位模块可将高速指令脉冲 ( 最高 4Mpps) 可靠地传输至伺服放大器，
传输距离可达 10 米，实现高速高精度的控制。
（开路集电极型定位模块的指令脉冲最高为200kpps。）
具有卓越性能的各种模块,
满足从模拟量到定位的各种控制需求。
Q系列模块产品包括种类丰富的各种I/O、模拟量和定位功能模块。
可全面地满足开关、传感器等的输入输出，温度、重量、流量和电机、驱动器的控制，
以及要求高精度控制的定位等各行业、各领域的控制需求。
还可与CPU模块组合使用，实现恰如其分的控制。
以智能功能拓展展控制的可能性Q25PHCPU结构化编程手册。
提供各种模拟量模块，是应用于过程控制应用的理想选择。Q25PHCPU结构化编程手册。
也可满足高速、高精度控制需求。
最适合用于要求高速转换控制领域的模拟量模块。
可提供多种模数和数模转换模块产品。
这些模块功能多样，在连接设备时，实现了最大的灵活性。
可满足变频器控制等高速转换需求。